Buisovens voor ultrahoge temperaturen
Electron is fabrikant van ultrahoge temperatuur ovens en ovensystemen die temperaturen aankunnen tot 2200°C. Onze specialisatie ligt in het creëren van geavanceerde verwarmingselementen. Dankzij onze procesgerichte benadering hebben we een hot-wall oven ontwikkeld die optimale prestaties levert voor toepassingen zoals de verwerking van siliciumcarbide wafers.
Met ruime ervaring in zowel laboratorium- als productieomgevingen begrijpen wij als geen ander dat extreme omstandigheden een zorgvuldige afweging van alle componenten vereisen. Bij Electron gaan we een stap verder en ontwerpen op maat gemaakte UHT buisovens, volledig afgestemd op de specifieke behoeften van onze klanten.
UHT ovens voor SiC-wafer verwerking
Siliciumcarbide (SiC) is inmiddels een onmisbaar element geworden in de halfgeleiderindustrie, vooral voor high-power toepassingen. De ultrahoge temperatuur buisovens van Electron blinken uit in de verwerking van SiC-wafers en bieden de juiste omgeving die nodig is om extreme temperaturen te bereiken en te behouden, wat essentieel is voor de hoogwaardige verwerking van siliciumcarbide.
Met een indrukwekkende temperatuurcapaciteit tot 2200°C zijn de SiC-buisovens van Electron de ultieme keuze voor de verwerking van 4, 6 of 8 inch wafers.
Procesgericht ovenontwerp
Electron hanteert een procesgerichte aanpak, waarbij we uitgaan van de unieke projecteisen. Bij processen zoals SiC-activering ontbreekt het in bestaande diffusieovens vaak aan de vereiste warmte om binnen een redelijk tijdsbestek efficiënt te kunnen werken.
Bij Electron is temperatuur de kern van ons ontwerpproces. We ontwikkelen elke oven op basis van de unieke kenmerken van specifieke processen, zodat alle vereiste functies moeiteloos in het systeem worden geïntegreerd. Onze op maat gemaakte ovens zijn ideaal voor zelfs de meest uitdagende procesomstandigheden en leveren prestaties van ongekend niveau.
Veelzijdige processen met UHT buisovens
De ultrahoge temperatuur ovens van Electron zijn ontworpen voor een breed scala aan processen. Variërend van post-oxidatie gloeien (POA) in NO-, N₂O- of NH₃-atmosferen tot natte oxidatie en van H₂-substraatvoorbehandeling op hoge temperatuur tot post-implantatie gloeien.
Of het nu gaat om het optimaliseren van trenches door middel van waterstof annealing of het gloeien van GaN- of AlN-materiaal, onze UHT ovens bieden nauwkeurige controle en betrouwbaarheid voor diverse toepassingen.
Hulp nodig bij het selecteren van ultrahoge temperatuur ovens?
Ontdek hoe de hot-wall SiC-buisovens van Electron uw processen kunnen optimaliseren. Kies voor op maat gemaakte oplossingen en deskundige begeleiding.
SiC-oxidatieproces
Oxidatie van siliciumcarbide wafers gebeurt doorgaans met gecontroleerde partiële druk van niet-oxiderende gassen - stikstof, argon of waterstof. Onze ovens maken gebruik van O2, NO, H2O, CO en CO2 als oxidatiemiddelen en zorgen voor nauwkeurige controle over de temperatuur en gedeeltelijke druk. Dit resulteert in een optimaal groeiproces van siliciumoxide op het oppervlak van de wafer.
SiC+ 3/2 O₂ ⇔ SiO₂ + CO
SiC+ 3 H₂O ⇔ SiO₂ + 3 H₂ + CO
SiC+ 3CO₂ ⇔ SiO₂ + 4 CO
Doping proces & CVD
Optimaliseer de eigenschappen van siliciumcarbide wafers met de geavanceerde UHT ovens van Electron, waarin zorgvuldig ontworpen dopingprocessen de elektrische eigenschappen van het materiaal veranderen.
Hoewel ionenimplantatie een gangbare methode is, verkennen wij alternatieve technieken, zoals CVD, waar reactief gas materiaal afzet op het wafer oppervlak. Materialen zoals aluminium, borium, stikstof en fosfor maken diverse doping opties mogelijk.
SiC-activeringsproces
Het uitgloeien na implantatie speelt een cruciale rol bij het elimineren van vacaturedefecten in siliciumcarbide wafers, waardoor de diffusie van vaste stoffen wordt gestimuleerd. Naarmate de temperatuur stijgt, versnelt het proces exponentieel, wat resulteert in de activering van doteermiddelen.
Deze activering, ook wel bekend als dopingactivatie, bevrijdt vrije elektronen en draagt bij aan het verbeteren van de eigenschappen van halfgeleiders.
UHT annealing proces
Naast het verminderen van defecten, optimaliseren gloeiprocessen de elektrische eigenschappen van de wafer en verfijnen de sleufranden, waardoor de stroomophoping na het etsen wordt geminimaliseerd.
Onze op maat gemaakte UHT ovens zijn breed toepasbaar voor de verwerking van halfgeleiders en andere materialen. Behalve siliciumcarbide kunnen ze ontworpen worden voor materialen zoals galliumnitride (GaN) en aluminiumnitride (AlN).
Belangrijkste kenmerken
Deze UHT buisovens van Electron bieden ongeëvenaarde prestaties en precisie bij hoge temperaturen, met geavanceerde technische specificaties:
- Ontworpen voor wafer groottes tot 8"
- Veelzijdige werking in hoogvacuüm-, atmosferische en overdrukomstandigheden
- Gecontroleerde atmosfeer: O₂, N₂O, NO, N₂, Ar, H₂ en H₂O
- Operationeel vermogen tot 2200°C
- Verwarmingssnelheden tot 100°C/min
SiC-buisovens op maat
Bij Electron begrijpen we dat elk proces uniek is, vooral bij de verwerking van SiC-wafers. Daarom ontwerpen wij op maat gemaakte ultrahoge temperatuur ovens, nauwkeurig afgestemd op de individuele eisen van onze klanten.
Onze flexibele aanpak is geschikt voor onderzoek, eindgebruikers en OEM's en garandeert dat elk onderdeel aangepast of op maat gemaakt wordt om de efficiëntie en effectiviteit te verbeteren van SiC-wafer proces en andere toepassingen die ultrahoge temperaturen vereisen.
Buisovens voor ultrahoge temperaturen tot 2200°C
Electron’s hot-wall SiC-buisovens bieden een uitstekende temperatuuruniformiteit, hoge verwarmings- en afkoelsnelheden en schalen moeiteloos mee met ultrahoge temperaturen.
Waarom kiezen voor Electron?
Diepgaande proceskennis
Bij Electron begrijpen we de uitdagingen die zich voordoen bij het vernieuwen of vervangen van bestaande installaties en het opschalen van laboratoriumopstellingen naar volwaardige productie. Wij zijn meer dan alleen een leverancier; we zijn uw kennispartner, en begeleiden bedrijven naadloos door dit proces.
Onze diepgaande proceskennis reikt verder dan technische aspecten; het omvat ook strategische beslissingen die cruciaal zijn voor een succesvolle opschaling. Procesontwikkeling is van essentieel belang op weg naar grootschalige productie. Onze ervaren engineers staan klaar om zowel analyses als tests uit te voeren, ondersteund door onze eigen R&D-faciliteiten voor procesvalidatie. Dit biedt een unieke kans om productieruns te testen op een schaal vergelijkbaar met een productiemachine.
Consistente prestaties en ingebouwde verificatie
In een wereld waar precisie cruciaal is, onderscheiden onze systemen zich door uitzonderlijke temperatuur- en stroomuniformiteit te bereiken, zelfs bij volledige belasting. Ingebouwde verificatiemogelijkheden en uitgebreide datalogging helpen uitgevoerde processen te documenteren en zorgen ervoor dat onze installaties voldoen aan de nieuwste AMS2750-richtlijnen.
Veiligheid bij de verwerking van SiC-wafers
Bij de verwerking van SiC-wafers is het werken met complexe en reactieve materialen een uitdaging die het hoogste veiligheidsniveau vereist. Onze ultrahoge temperatuur ovens voldoen aan de strengste veiligheidsnormen. Speciaal ontworpen om complexe stoffen te verwerken, garanderen deze ovens een veilige werking die essentieel is voor SiC-processen.
Ultrahoge temperatuur ovens voor de thermische behandeling en verwerking van siliciumcarbide SiC-wafers. Ons hot-wall design garandeert optimale prestaties.
